特許

J-GLOBAL ID：200903043158007327

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者： 山田 修平 ,  奥野 浩司 ,  齋藤 義樹 ,  豊田 優介
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-255664
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180495
出願日： 2006年09月21日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：

【課題】静電耐圧特性を向上させることができるIII族窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】成長面にSiの集中を促すピットが形成されRMS(Root Mean Square)3〜12(nm)の粗さを有するiGaN層104と、これに積層されるSi原子の特性値を0.9×1021〜3.6×1021(atoms・Å/cm3)としたnGaN層105と、でnESD層を形成したので、素子の垂直方向に対する電流経路を形成することができ、静電耐圧特性の向上を図ることができる。また、素子の静電耐圧特性向上により、サブマウント等の保護部材を設けなくとも良好な信頼性を有するので、発光素子を用いたデバイスのコストダウンを図ることも可能になる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

サファイア基板上に設けられるバッファ層上に、n側のIII族窒化物系化合物半導体層、発光する層、およびp側のIII族窒化物系化合物半導体層を順次設けてなるIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、 前記n側のIII族窒化物系化合物半導体層は、前記バッファ層と前記発光する層との間に、膜厚が1500〜4000ÅでRMS(Root Mean Square)3〜12(nm)の粗さを有するiGaN層と、1cm3あたりのSi原子の量と膜厚(Å)の積により定められる特性値が0.9×1021〜3.6×1021(atoms・Å/cm3)のnGaN層と、を含むことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-060463   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-032950   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-060463   出願人：日亜化学工業株式会社
• n型窒化物半導体積層体およびそれを用いる半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-155577   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-032950   出願人：日亜化学工業株式会社