特許
J-GLOBAL ID：201703016110035650
光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-082261
公開番号（公開出願番号）：特開2014-207258
特許番号：特許第6116979号
出願日： 2013年04月10日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 少なくとも第1のIII族元素および第1のV族元素を含む第1化合物半導体層と、
前記第1化合物半導体層の上方に形成され、少なくとも第2のIII族元素および第2のV族元素を含む第2化合物半導体層と、
前記第1化合物半導体層と前記第2化合物半導体層との間に形成され、少なくとも前記第2のIII族元素および前記第1のV族元素の化合物を含む中間層と
を備え、
同一の温度条件で、前記第2のIII族元素および前記第1のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数が、前記第1のIII族元素および前記第2のV族元素を含む化合物の熱力学的平衡定数より大きく、
前記第1化合物半導体層はInPであり、前記第2化合物半導体層はAlGaInAsであり、前記中間層はAlGaInPであり、
前記中間層は、成長温度においてAlGaInP中のPがAsによって置換されてAlGaInAsへ反応する置換反応平衡定数K[AlGaInAsP]の対数であるlogeK[AlGaInAsP]が負であるように、Al、Ga、およびInの組成比が設定されている、
光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
H01S 5/323
, H01S 5/343
, H01L 21/205
