特許
J-GLOBAL ID：201703016669664771
発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人レクスト国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-131631
公開番号（公開出願番号）：特開2015-005697
特許番号：特許第6165517号
出願日： 2013年06月24日
公開日（公表日）： 2015年01月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の導電型を有する第1の半導体層、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する第2の半導体層並びに前記第1及び第2の半導体層間に形成された発光層を含み、前記第1の半導体層の表面を第1の主面とする半導体構造層と、前記半導体構造層の前記第1の半導体層の前記表面上に形成されかつ金属材料からなる第1の電極と、前記第1の半導体層の前記表面から前記第1の半導体層及び前記発光層を貫通して前記第2の半導体層に接続されかつ金属材料からなる第2の電極と、を有し、前記第1の主面を実装面とするフリップチップ型の発光素子であって、
前記第1の主面における前記第1の電極と前記第2の電極との間の電極間領域から前記半導体構造層の前記電極間領域に対向する第2の主面に向かって、全体として前記第1の主面における前記第2の電極の形成領域を囲むように形成され、前記発光層を貫通する深さを有する第1トレンチ及び第2トレンチを有し、
前記半導体構造層内における前記第1の電極及び前記第2の電極間の電流の方向は、前記半導体構造層の面内方向において相対的に低い電気抵抗を有する電流方向である低抵抗方向と、相対的に高い電気抵抗を有する電流方向である高抵抗方向との少なくとも2つに区別され、
前記半導体構造層は、前記低抵抗方向に沿った領域である低抵抗方向領域と、前記高抵抗方向に沿った領域である高抵抗方向領域との少なくとも2つに区画され、
前記第1トレンチは前記低抵抗方向領域に亘って形成され、前記第2トレンチは前記高抵抗方向領域に亘って形成され、
前記第2トレンチは前記第1トレンチよりも深く形成されていることを特徴とする発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/14 ( 201 0.01)
, H01L 33/38 ( 201 0.01)
