特許
J-GLOBAL ID：201703016893588959
MOSFET終端トレンチ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
永井 浩之
, 勝沼 宏仁
, 磯貝 克臣
, 大野 浩之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-556750
特許番号：特許第6127069号
出願日： 2013年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板にコアトレンチおよび終端トレンチを形成するステップであって、前記終端トレンチは前記コアトレンチより幅が広い形成ステップと、
前記コアトレンチを充填し、前記終端トレンチの側壁および底部をライニングする第1の酸化物を堆積するステップと、
前記終端トレンチ内に第1のポリシリコンを堆積するステップと、
前記第1のポリシリコンの上方に第2の酸化物を堆積するステップと、
前記第2の酸化物および前記終端トレンチの上方にマスクを堆積するステップと、
前記コアトレンチから前記第1の酸化物を除去するステップと、
前記コアトレンチの側壁および底部をライニングする第3の酸化物を堆積するステップであって、前記終端トレンチ内の前記第1の酸化物は、前記コアトレンチ内の前記第3の酸化物より厚い堆積ステップと、
を備えた方法。
IPC (2件)：
H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 652 M
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/06 301 F
, H01L 29/06 301 V
