特許
J-GLOBAL ID：201703016902094026

半導体素子

発明者：
坂田 淳一郎

坂田 淳一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-178580
公開番号（公開出願番号）：特開2017-022399
出願日： 2016年09月13日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：
【課題】回路規模の拡大に資する新規の半導体素子を提供する。【解決手段】独立した2つの電気的スイッチを単体の酸化物半導体層を用いて構成することを要旨とする。例えば、当該半導体素子は、当該酸化物半導体層の下面(第1の面)近傍におけるチャネル(電流経路)の形成と、上面(第2の面)近傍におけるチャネルの形成とを独立して制御する。これにより、2つの電気的スイッチを別個に設ける場合(例えば、2つのトランジスタを別個に設ける場合)と比較して、回路面積を縮小することが可能となる。すなわち、当該半導体素子を用いて回路を構成することで、回路規模の拡大に伴う回路面積の拡大を抑制することが可能になる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の第1の面に接する第1の絶縁層と、 前記第1の面の裏面である前記酸化物半導体層の第2の面に接する第2の絶縁層と、 前記第1の絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する第1の導電層と、 前記第2の絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する第2の導電層と、 前記第1の面の一端において前記酸化物半導体層と接する第3の導電層と、 前記第1の面の他端において前記酸化物半導体層と接する第4の導電層と、 前記第2の面の一端において前記酸化物半導体層と接する第5の導電層と、 前記第2の面の他端において前記酸化物半導体層と接する第6の導電層と、を有し、 前記第1の導電層の一端が前記第1の絶縁層を介して前記第3の導電層の一端と重畳し、且つ前記第1の導電層の他端が前記第1の絶縁層を介して前記第4の導電層の一端と重畳し、 前記第2の導電層の一端が前記第2の絶縁層を介して前記第5の導電層の一端と重畳し、且つ前記第2の導電層の他端が前記第2の絶縁層を介して前記第6の導電層の一端と重畳する半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 ,  C23C 14/08
FI (8件)：
H01L29/78 617N ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 495 ,  C23C14/08 K
Fターム (59件)：
4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  5F083AD01 ,  5F083AD69 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA60 ,  5F083LA11 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA15 ,  5F083ZA21 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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