薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-140426
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287735
出願日： 2009年06月11日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】オン電流が高く、特性シフトが低減された薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】基板上に、活性層としてのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記酸化物半導体膜のモル比〔In:Ga:Zn〕を2.0-x:x:y(但し、0.0<x<2.0、0.0<y)で表したとき、前記酸化物半導体膜の膜厚方向についての前記yの分布において、前記基板に近い側の膜面、及び、前記基板から離れた側の膜面よりも、前記yが大きい領域が存在する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、活性層としてのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記酸化物半導体膜のモル比〔In:Ga:Zn〕を2.0-x:x:y(但し、0.0<x<2.0、0.0<y)で表したとき、前記酸化物半導体膜の膜厚方向についての前記yの分布において、前記基板に近い側の膜面、及び、前記基板から離れた側の膜面よりも、前記yが大きい領域が存在する薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136

FI (3件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , G02F1/1368

Fターム (82件)：

2H092GA29 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JA40 , 2H092JA46 , 2H092JB69 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA05 , 2H092MA06 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 2H092NA26 , 2H092NA27 , 5F110AA07 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110BB10 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD06 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK21 , 5F110HK33 , 5F110HL03 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (4件)

非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325366 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
半導体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258275 出願人：キヤノン株式会社
アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258270 出願人：キヤノン株式会社

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