特許
J-GLOBAL ID：201703017184754043

メモリ制御装置、ストレージ装置、ストレージ装置の制御プログラム、及び、ストレージ装置の制御方法

発明者：
小石 真人

小石 真人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-046934
公開番号（公開出願番号）：特開2017-162260
出願日： 2016年03月10日
公開日（公表日）： 2017年09月14日
要約：
【課題】複数の不揮発性メモリの寿命を長期化する。【解決手段】メモリ制御装置5は、複数の不揮発性メモリ18を所定サイズで区分けした複数の領域に対する書き込み量を含む第1のデータと複数の不揮発性メモリに対応する書き込み状態を含む第2のデータとを格納するメモリ51と、第1のデータと第2のデータとに基づいて複数の不揮発性メモリに対する第1の評価値を計算し、データの書き込み先の不揮発性メモリを選択する補正手段15と、補正手段によって選択された不揮発性メモリに対して書き込み対象データを書き込み、第1のデータと第2のデータとを更新する書き込み手段13と、複数の不揮発性メモリの使用開始後に、第1のデータと第2のデータとに基づいて複数の不揮発性メモリに対する第2の評価値を計算し、第2の評価値に基づいて、複数の不揮発性メモリのうちの少なくとも1つに対して使用可能容量の設定を変更する設定変更手段16を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリを所定サイズで区分けした複数の領域のそれぞれに対する書き込み量を管理する第1のデータと、前記複数の不揮発性メモリに対応する書き込み状態を管理する第2のデータとを格納するメモリと、 前記複数の不揮発性メモリに対する書き込み対象データの書き込みにおいて、前記メモリに格納されている前記第1のデータと前記第2のデータとに基づいて、前記複数の不揮発性メモリのそれぞれに対する第1の評価値を計算し、前記第1の評価値に基づいて、前記書き込み対象データの書き込み先の不揮発性メモリを選択する補正手段と、 前記補正手段によって選択された前記不揮発性メモリに対して、前記書き込み対象データを書き込み、前記メモリに格納されている前記第1のデータと前記第2のデータとを更新する書き込み手段と、 前記複数の不揮発性メモリの使用開始後に、前記メモリに格納されている前記第1のデータと前記第2のデータとに基づいて、前記複数の不揮発性メモリのそれぞれに対する第2の評価値を計算し、前記第2の評価値に基づいて、前記複数の不揮発性メモリのうちの少なくとも1つに対して使用可能容量の設定を変更する設定変更手段と、 を具備するメモリ制御装置。
IPC (3件)：
G06F 12/02 ,  G06F 12/00 ,  G06F 12/16
FI (3件)：
G06F12/02 510A ,  G06F12/00 597U ,  G06F12/16 310A
Fターム (5件)：
5B018GA04 ,  5B018HA40 ,  5B018MA23 ,  5B018NA06 ,  5B060AA14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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