スタック集積回路のシールリング構造

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：とこしえ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-256911
公開番号（公開出願番号）：特開2017-120913
出願日： 2016年12月28日
公開日（公表日）： 2017年07月06日
要約：

【課題】スタック集積回路のシールリング構造を提供することを目的とする。【解決手段】三次元(3D)集積回路(IC)ダイが提供される。いくつかの実施形態において、第一ICダイは、第一半導体基板、第一半導体基板上の第一相互接続構造、および、第一相互接続構造上の第一混成結合 (HB)構造を有する。第一HB構造は、HBリンク層、および、HBリンク層から第一相互接続構造に延伸するHB接触層を有する。第二ICダイは第一ICダイ上に形成され、且つ、第二半導体基板、第二HB構造、および、第二半導体基板と第二HB構造間の第二相互接続構造を有する。第二HB構造は第一HB構造と接触する。シールリング構造は、第一と第二ICダイ中にある。さらに、シールリング構造は、第一半導体基板から第二半導体基板に延伸し、且つ、一部がHB接触層により定義される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

三次元(3D)集積回路(IC)ダイであって、第一ICダイと、前記第一ICダイ上に位置する第二ICダイと、前記第一ICダイ及び前記第二ICダイ中に位置するシーリング構造とを備え、前記第一ICダイは、第一半導体基板、前記第一半導体基板上の第一相互接続構造、及び、前記第一相互接続構造上の第一混成結合(HB)構造を有し、前記第一HB構造は、 HBリンク層、及び、前記HBリンク層から前記第一相互接続構造に延伸するHB接触層を有し、前記第二ICダイは、第二半導体基板、第二HB構造、および、前記第二半導体基板と前記第二HB構造との間の第二相互接続構造を有し、前記第二HB構造はHBインターフェースで前記第一HB構造と接触し、前記シーリング構造は前記第一半導体基板から前記第二半導体基板に延伸し、前記シーリング構造の一部が前記HB接触層により形成されることを特徴とする3D ICダイ。

IPC (6件)：

H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 23/522 , H01L 21/768 , H01L 21/320

FI (3件)：

H01L25/08 B , H01L21/88 S , H01L21/88 J

Fターム (35件)：

5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM30 , 5F033NN32 , 5F033PP06 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033SS07 , 5F033SS11 , 5F033UU05 , 5F033VV00 , 5F033VV07

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-065494 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-286978 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-027137 出願人：松下電器産業株式会社

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