特許

J-GLOBAL ID：201703018330067190

パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法

発明者： チェン,ハワード・イー ,  グオ,イーファン ,  ホアン,ディンフュオク・ブ ,  ジャナニ,メーラン ,  コー,ティン・ミント ,  レートラ,フィリップ・ジョン ,  ロビアンコ,アンソニー・ジェームズ ,  モディ,ハーディック・ブペンドラ ,  グエン,ホアン・モン ,  オザラス,マシュー・トーマス ,  ペティ-ウィークス,サンドラ・ルイーズ ,  リード,マシュー・ショーン ,  リージ,イェンス・アルブレヒト ,  リプレー,デイビット・スティーブン ,  シャオ・ホンシアオ ,  シェン,ホン ,  サン,ウェイミン ,  サン,シャン-チー ,  ウェルチ,パトリック・ローレンス ,  ザンパルディ,ピーター・ジェイ,ジュニア ,  チャン,グオハオ
出願人/特許権者： スカイワークス ソリューションズ,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-154503
公開番号（公開出願番号）：特開2016-225642
特許番号：特許第6092452号
出願日： 2016年08月05日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 パワーアンプモジュールであって、 第1のダイを備え、前記第1のダイは、パワーアンプと前記第1のダイの状態に依存する電気特性を有する受動コンポーネントとを含み、前記パワーアンプは、コレクタ、ベースおよびエミッタを有するバイポーラトランジスタを含み、前記コレクタは、前記ベースとの界面において少なくとも約3×1016cm-3のドーピング濃度を有し、前記コレクタは、さらに、ドーピング濃度が、前記界面におけるドーピング濃度よりも低いドーピング濃度から前記ベースから離れるにつれて増加する勾配を有し、 前記第1のダイと通信する第2のダイをさらに備え、前記第2のダイは、前記第1のダイの前記受動コンポーネントの表れた前記電気特性に少なくとも部分的に基づいてバイアス信号を生成するとともに、前記バイアス信号を前記パワーアンプに供給するように構成されたバイアス回路を含む、パワーアンプモジュール。

IPC (13件)：

H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/737 ( 200 6.01) ,  H01L 21/82 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8222 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8248 ( 200 6.01) ,  H01L 27/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 23/522 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 29/72 H ,  H01L 21/82 D ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 27/04 R ,  H01L 27/04 U ,  H01L 27/04 B ,  H01L 21/88 J ,  H01L 25/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ヘテロ接合バイポーラトランジスタを用いたRFパワーモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-040080   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-310076   出願人：NECエレクトロニクス株式会社