特許
J-GLOBAL ID：200903097662798265

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者：
丹羽 隆樹

丹羽 隆樹 について

, 
黒澤 直人

黒澤 直人 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-310076
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130586
出願日： 2006年11月16日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】パワーアンプの歪特性及び効率を悪化させずに耐破壊性を向上させることが可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること【解決手段】本発明にかかるヘテロ接合バイポーラトランジスタは、第1導電型のサブコレクタ層2と、第1導電型不純物を含む第1のコレクタ層41と、第1のコレクタ層41より第1導電型不純物の濃度が高い第3のコレクタ層43と、前記第1のコレクタ層41より第1導電型不純物の濃度が低い第2のコレクタ層42と、第2導電型のベース層5と、ベース層5よりもバンドギャップの広い半導体を含む第1導電型のエミッタ層6と、第1導電型のエミッタキャップ層8と、を有するものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のサブコレクタ層と、 前記サブコレクタ層の上に形成され、第1導電型不純物を含む第1のコレクタ層と、 前記第1のコレクタ層の上に形成され、前記第1のコレクタ層より第1導電型不純物の濃度が高い第3のコレクタ層と、 前記第3のコレクタ層の上に形成され、前記第1のコレクタ層より第1導電型不純物の濃度が低い第2のコレクタ層と、 前記第2のコレクタ層の上に形成された第2導電型のベース層と、 前記ベース層の上に形成され、前記ベース層よりもバンドギャップの広い半導体を含む第1導電型のエミッタ層と、 前記エミッタ層の上に形成された第1導電型のエミッタキャップ層と、を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/737
FI (1件)：
H01L29/72 H
Fターム (8件)：
5F003AP00 ,  5F003AP05 ,  5F003BA92 ,  5F003BC01 ,  5F003BC04 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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