膜中で特定の結晶構造を有するベンゾビス(チアジアゾール)誘導体の結晶、その結晶の膜、及びそれを用いた有機エレクトロニクスデバイス

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-147479
公開番号（公開出願番号）：特開2017-025039
出願日： 2015年07月27日
公開日（公表日）： 2017年02月02日
要約：

【課題】電子の移動度に優れるベンゾビス(チアジアゾール)(BBT)誘導体の結晶又は膜及びこれらを用いた有機エレクトロニクスデバイスの提供。【解決手段】式(1)で示されるBBT誘導体である空間的に隣接する分子Aと分子Bとの間で、分子AのBBT部のSと分子BのBBT部のNの原子間距離D1、分子AのBBT部のSと分子Bのチオフェン環のSの原子間距離D2、分子AのBBT部のNと分子BのBBT部のSの原子間距離D3及び分子Aのチオフェン環のSと分子BのBBT部のSの原子間距離D4が、全て、関連する2つの原子の各々のファンデルワールス半径の合計よりも小さい空間配置を有するBBT誘導体の結晶。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるベンゾビス(チアジアゾール)誘導体であって、

IPC (5件)：

C07D 513/04 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/50

FI (8件)：

C07D513/04 301 , C07D513/04 , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 250H , H05B33/14 A , H05B33/22 D , H05B33/22 B

Fターム (63件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB03 , 3K107BB04 , 3K107BB06 , 3K107CC11 , 3K107DD71 , 3K107DD74 , 3K107DD78 , 4C072AA01 , 4C072AA07 , 4C072BB02 , 4C072BB06 , 4C072CC04 , 4C072CC17 , 4C072DD10 , 4C072EE12 , 4C072FF13 , 4C072GG01 , 4C072HH06 , 4C072UU05 , 4C072UU10 , 5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK42 , 5F110NN71 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (1件)

ベンゾビスチアジアゾール化合物
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-273878 出願人：株式会社日本触媒

引用文献：

審査官引用 (1件)

Chemistry of Materials, 20150113, 27(1), p.141-147

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