特許
J-GLOBAL ID：201703019004325525
パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人航栄特許事務所
, 高松 猛
, 尾澤 俊之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-190735
公開番号（公開出願番号）：特開2015-055844
特許番号：特許第6134619号
出願日： 2013年09月13日
公開日（公表日）： 2015年03月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(1)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、
(2)前記膜を、活性光線又は放射線により露光する工程、
(3)前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して被処理パターンを形成する工程、及び、
(4)前記被処理パターンに対し、1級アミノ基及び2級アミノ基の少なくともいずれかを有する化合物(x)を含む処理剤(但し、22mN/mを超える表面張力を有する有機溶剤と、22mN/m以下の表面張力を有する、フッ素系有機溶剤、シロキサン系溶剤または炭化水素系溶剤からなる溶剤とを含有するリンス液、及び、メチルアミルケトンとn-オクチルアミンとを含有するリンス液を除く)を作用させて、処理済パターンを得る工程を含む、パターン形成方法であって、
前記処理剤が、有機溶剤を、前記処理剤の全量に対して30質量%以上で含有する、パターン形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/32 ( 200 6.01)
, G03F 7/40 ( 200 6.01)
, G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/32
, G03F 7/32 501
, G03F 7/40 511
, G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 570
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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