特許
J-GLOBAL ID：201703019523805950
基板処理方法及び基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
別役 重尚
, 村松 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-078421
公開番号（公開出願番号）：特開2017-188632
出願日： 2016年04月08日
公開日（公表日）： 2017年10月12日
要約：
【課題】酸化膜除去のスループットを向上することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】酸化膜除去処理は、チャンバ25の内部に収容されたウエハWに対して弗化水素ガス及びアンモニアガスを供給することにより、シリコン酸化膜57を反応生成物に変質させるCOR工程と、チャンバ25の内部への弗化水素ガスの供給を停止することにより、反応生成物を昇華させてウエハWから除去するPHT工程とを有し、チャンバ25の内部へ不活性ガスを供給することによってPHT工程におけるチャンバ25の内部の圧力を、COR工程におけるチャンバ25の内部の圧力よりも高くする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成された酸化膜を除去する基板処理方法であって、
処理室の内部に収容された前記基板に対してハロゲン元素含有ガス及び塩基性ガスを供給することにより、前記酸化膜を反応生成物に変質させる反応工程と、
前記処理室の内部への前記ハロゲン元素含有ガスの供給を停止することにより、前記反応生成物を昇華させて前記基板から除去する昇華工程とを有し、
前記処理室の内部へ不活性ガスを供給することによって前記昇華工程における前記処理室の内部の圧力を、前記反応工程における前記処理室の内部の圧力よりも高くすることを特徴とする基板処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F004AA09
, 5F004AA16
, 5F004BA19
, 5F004BB18
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BC05
, 5F004BC06
, 5F004CA02
, 5F004CA04
, 5F004DA00
, 5F004DA20
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DB03
, 5F004EA28
, 5F004EA34
, 5F004EA38
