特許
J-GLOBAL ID：201703019636892913
磁気抵抗素子および磁気メモリ
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
関根 毅
, 勝沼 宏仁
, 鈴木 順生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-050858
公開番号（公開出願番号）：特開2015-176933
特許番号：特許第6135018号
出願日： 2014年03月13日
公開日（公表日）： 2015年10月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1および第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、前記第1磁性層と前記第1非磁性層との間に設けられた第3磁性層と、備え、 前記第1磁性層は、Mnと、Ge、Ga、Alからなる群から選択された少なくとも1つの元素と、を含み、前記第3磁性層は、Mn2VZ(Vはバナジウム、ZはAl、Gaからなる群から選択された少なくとも1つの元素を表す)を含む磁気抵抗素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 43/10 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 21/8246 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
H01L 43/08 M
, H01L 43/08 Z
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/10
, H01L 27/10 447
