磁気トンネル接合素子、磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-062305
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219177
出願日： 2009年03月16日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：

【課題】MTJ素子のMR比を向上させること。【解決手段】MTJ素子(1)は、第1磁性層(10)と、第2磁性層(20)と、第1磁性層(10)と第2磁性層(20)との間に位置するトンネルバリア層(30)と、ハーフメタル材料で形成された第1ハーフメタル層(40)と、を備える。第1ハーフメタル層(40)は、第1磁性層(10)とトンネルバリア層(30)との間に介在し、トンネルバリア層(30)と接触し、第1磁性層(10)と磁気的に結合する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に位置するトンネルバリア層と、ハーフメタル材料で形成された第1ハーフメタル層とを備え、前記第1ハーフメタル層は、前記第1磁性層と前記トンネルバリア層との間に介在し、前記トンネルバリア層と接触し、前記第1磁性層と磁気的に結合する磁気トンネル接合素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (3件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L43/08 M

Fターム (27件)：

4M119AA20 , 4M119BB01 , 4M119BB20 , 4M119CC05 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 5F092AA02 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD26 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BE03

引用特許：

審査官引用 (9件)

磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-016418 出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-222707 出願人：日本放送協会
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、及びメモリー素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-234284 出願人：松下電器産業株式会社

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