特許
J-GLOBAL ID:201703019800919089
半導体マッハツェンダ光変調器及びそれを用いたIQ変調器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-244350
公開番号(公開出願番号):特開2017-111238
出願日: 2015年12月15日
公開日(公表日): 2017年06月22日
要約:
【課題】本発明は、高速変調かつクロストークの小さな半導体光変調器を実現する。【解決手段】本発明の半導体光変調器は、第1及び第2のアーム導波路と、前記第1及び第2のアーム導波路に並行かつ隣接してそれぞれ形成された第1及び第2のシグナル電極と、前記第1のシグナル電極から分岐し、前記第1のシグナル電極に沿って前記第1のアーム導波路上に離散的に複数個形成された第1の位相調整電極と、前記第2のシグナル電極から分岐し、前記第2のシグナル電極に沿って前記第2のアーム導波路上に離散的に複数個形成された第2の位相調整電極と、前記第1及び第2のシグナル電極に沿ってそれぞれ形成された第1及び第2のグランド電極と、を備えた半導体光変調器であって、前記第1及び第2のシグナル電極は、前記第1のグランド電極と前記第2のグランド電極との間に形成されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
第1及び第2のアーム導波路と、
前記第1及び第2のアーム導波路に並行かつ隣接してそれぞれ形成された第1及び第2のシグナル電極と、
前記第1のシグナル電極から分岐し、前記第1のシグナル電極に沿って前記第1のアーム導波路上に離散的に複数個形成された第1の位相調整電極と、
前記第2のシグナル電極から分岐し、前記第2のシグナル電極に沿って前記第2のアーム導波路上に離散的に複数個形成された第2の位相調整電極と、
前記第1及び第2のシグナル電極に沿ってそれぞれ形成された第1及び第2のグランド電極と、
を備えた半導体マッハツェンダ光変調器であって、
前記第1及び第2のシグナル電極は、前記第1のグランド電極と前記第2のグランド電極との間に形成されていることを特徴とする半導体マッハツェンダ光変調器。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (16件):
2K102AA21
, 2K102BA03
, 2K102BB01
, 2K102BB04
, 2K102BC04
, 2K102BD01
, 2K102CA06
, 2K102CA13
, 2K102DA08
, 2K102DA11
, 2K102DB04
, 2K102DB05
, 2K102DD03
, 2K102EA03
, 2K102EA16
, 2K102EA17
引用特許:
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