特許
J-GLOBAL ID：201303046475995056
半導体変調器および半導体変調器の出力パワー制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
, 諏澤 勇司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-033178
公開番号（公開出願番号）：特開2013-171078
出願日： 2012年02月17日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：
【課題】半導体変調器の出力における各偏波のパワー差を低減する。【解決手段】半導体変調器1は、X側変調信号を出力する第1QPSK変調部4と、Y側変調信号を出力する第2QPSK変調部5と、X側変調信号とY側変調信号とを偏波多重して出力する偏波合成素子7とを備え、第1QPSK変調部4および第2QPSK変調部5は、シュタルク効果を有する半導体材料からなる光導波路を有し、偏波パワー制御部15は、X側変調信号の光パワーに応じた第1モニタ電流IxおよびY側変調信号の光パワーに応じた第2モニタ電流Iyの各々に基づき、偏波合成素子7の出力でのX側変調信号に基づく第1出力パワーおよびY側変調信号に基づく第2出力パワーをそれぞれ算出し、各出力パワーを比較して第1QPSK変調部4に印加する第1バイアス電圧V1と第2QPSK変調部5に印加する第2バイアス電圧V2とを変更させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を出射するレーザ光源と、
前記光を第1偏波と第2偏波とに分離する偏波分離部と、
前記第1偏波をQPSK変調して、第1変調信号として出力する第1QPSK変調部と、
前記第2偏波をQPSK変調して、第2変調信号として出力する第2QPSK変調部と、
前記第1変調信号と前記第2変調信号とを偏波多重して偏波多重光信号として出力する偏波合成部と、
前記第1変調信号の光パワーを測定し、測定した光パワーに応じた第1モニタ電流を出力する第1光パワーモニタと、
前記第2変調信号の光パワーを測定し、測定した光パワーに応じた第2モニタ電流を出力する第2光パワーモニタと、
前記第1QPSK変調部に第1バイアス電圧を印加する第1電圧源と、
前記第2QPSK変調部に第2バイアス電圧を印加する第2電圧源と、
前記第1電圧源の前記第1バイアス電圧を変更させ、前記第2電圧源の前記第2バイアス電圧を変更させるように制御する偏波パワー制御部と、
を備え、
前記第1QPSK変調部は、シュタルク効果を有する半導体材料により構成された光導波路を有し、
前記第2QPSK変調部は、シュタルク効果を有する半導体材料により構成された光導波路を有し、
前記第1光パワーモニタは、前記第1QPSK変調部の反転側の出力に設けられ、
前記第2光パワーモニタは、前記第2QPSK変調部の反転側の出力に設けられ、
前記偏波パワー制御部は、前記第1モニタ電流に基づいて、前記偏波合成部の出力における前記第1変調信号に基づく第1出力パワーを算出し、
前記偏波パワー制御部は、前記第2モニタ電流に基づいて、前記偏波合成部の出力における前記第2変調信号に基づく第2出力パワーを算出し、
前記偏波パワー制御部は、前記第1出力パワーと前記第2出力パワーとを比較した結果に基づいて、前記第1電圧源に前記第1バイアス電圧を変更させ、前記第2電圧源に前記第2バイアス電圧を変更させることを特徴とする半導体変調器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02F1/015 502
, G02F1/025
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA03
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA05
, 2H079EA07
, 2H079FA01
, 2H079GA03
, 2H079HA11
, 2H079KA06
, 2H079KA17
, 2H079KA18
, 2H079KA19
