特許
J-GLOBAL ID：201703019839338954

電界効果トランジスタを備えたパワー半導体回路

発明者：
グンター ケーニッヒスマン

グンター ケーニッヒスマン について

, 
トーマス エック

トーマス エック について


出願人/特許権者：
ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー

ゼミクロン エレクトローニク ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー について


代理人 (3件)： 今井 秀樹 ,  藤田 アキラ ,  松本 喬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-124322
公開番号（公開出願番号）：特開2017-017688
出願日： 2016年06月23日
公開日（公表日）： 2017年01月19日
要約：
【課題】エネルギーロスの少ないパワー半導体回路を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタ(T1,T2)と、駆動機構(2)と低電圧検出回路(5)とを有している制御機構(3)とを備えたパワー半導体回路。駆動機構(2)は、電界効果トランジスタ(T1,T2)を駆動するように構成され、且つ電界効果トランジスタ(T1,T2)のゲート(G)と電気接続されている。低電圧検出回路(5)は、電界効果トランジスタ(T1,T2)のドレイン(D)とソース(S)との間に印加されるパワー半導体電圧(U1,U2)が特定の電圧値(Uw)を下回ったときに低電圧検出信号(F)を発生させるように構成されている。前記駆動機構(2)は、電界効果トランジスタ(T1,T2)を通電させるための通電命令と低電圧検出信号(F)とが存在するときに電界効果トランジスタ(T1,T2)を通電させるように構成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
接続部としてドレイン(D)とソース(S)とゲート(G)とを有している電界効果トランジスタ(T1,T2)と、駆動機構(2)と低電圧検出回路(5)とを有している制御機構(3)とを備え、前記駆動機構(2)が、前記電界効果トランジスタ(T1,T2)を駆動するように構成され、且つ前記電界効果トランジスタ(T1,T2)の前記ゲート(G)と電気接続され、前記低電圧検出回路(5)は、前記電界効果トランジスタ(T1,T2)の前記ドレイン(D)と前記ソース(S)との間に印加されるパワー半導体電圧(U1,U2)が特定の電圧値(Uw)を下回ったときに低電圧検出信号(F)を発生させるように構成され、前記駆動機構(2)は、前記電界効果トランジスタ(T1,T2)を通電させるための通電命令と前記低電圧検出信号(F)とが存在するときに前記電界効果トランジスタ(T1,T2)を通電させるように構成されているパワー半導体回路。
IPC (4件)：
H03K 17/042 ,  H03K 17/04 ,  H03K 17/695 ,  H03K 17/687
FI (4件)：
H03K17/042 ,  H03K17/04 E ,  H03K17/695 ,  H03K17/687 F
Fターム (23件)：
5J055AX03 ,  5J055AX12 ,  5J055AX55 ,  5J055AX66 ,  5J055BX16 ,  5J055CX13 ,  5J055DX13 ,  5J055DX14 ,  5J055DX22 ,  5J055DX44 ,  5J055DX59 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ10 ,  5J055FX05 ,  5J055FX07 ,  5J055FX13 ,  5J055FX19 ,  5J055FX33 ,  5J055GX01 ,  5J055GX05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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