特許
J-GLOBAL ID：201703019977127891

薄膜トランジスタ及びアレイ基板

発明者：
林 正美

林 正美 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-165463
公開番号（公開出願番号）：特開2017-045779
出願日： 2015年08月25日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：
【課題】酸化物半導体層を活性層として採用し、スイッチング特性及びオフ動作の安定性の向上を図った薄膜トランジスタを得る。【解決手段】TFTのチャネル領域となる酸化物半導体領域41は、水素含有量が比較的少ないゲート絶縁膜21の第1の絶縁領域上に形成され、ソース電極51及びドレイン電極52と接触する酸化物半導体領域43は、水素含有量が比較的多いゲート絶縁膜23の第2の絶縁領域上に形成される。このため、酸化物半導体領域41のシート抵抗値R1が比較的高く、酸化物半導体領域43のシート抵抗値R3が比較的低く、R1>R3の関係となる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の上方に形成されるゲート電極と、 前記ゲート電極上を含み前記絶縁性基板の上方に形成されるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成される酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に形成されるソース電極とを備えた薄膜トランジスタであって、 前記ゲート絶縁膜は前記ゲート電極上に形成される第1の絶縁領域と、前記ゲート電極を介することなく前記絶縁性基板の上方に形成され、水素含有量が前記第1の絶縁領域と異なる第2の絶縁領域とを含み、 前記酸化物半導体層は、前記第1の絶縁領域上に形成され、チャネル領域を少なくとも有する第1の酸化物半導体領域と、前記第2の絶縁領域上に形成され、前記ソース電極と接続される第2の酸化物半導体領域とを含み、 前記第1の酸化物半導体領域の抵抗値が前記第2の酸化物半導体領域の抵抗値より高いことを特徴とする、 薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136
FI (9件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617U ,  G02F1/1368
Fターム (86件)：
2H192AA24 ,  2H192BB13 ,  2H192BC31 ,  2H192CB02 ,  2H192CB05 ,  2H192CB08 ,  2H192CB42 ,  2H192CB53 ,  2H192CB81 ,  2H192CB82 ,  2H192CB83 ,  2H192CC04 ,  2H192DA12 ,  2H192FA73 ,  2H192FB02 ,  2H192HA44 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE25 ,  5F110EE48 ,  5F110EE50 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF13 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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