特許
J-GLOBAL ID：201303027073402798

半導体装置

発明者：
郷戸 宏充

郷戸 宏充 について

, 
小林 聡

小林 聡 について

, 
津吹 将志

津吹 将志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-019471
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256838
出願日： 2012年02月01日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：
【課題】大電力の制御を行う、高耐圧の半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上の、ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接し、端部をゲート電極と重畳するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ゲート電極と酸化物半導体層が重畳する領域において、ゲート絶縁層は、ドレイン電極と端部を重畳する第1の領域と、前記第1の領域と隣接する第2の領域と、を有し、第1の領域の静電容量は第2の領域の静電容量より小さいトランジスタを提供すること。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上の、前記ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と接する第1の電極と、 前記第1の電極と間隙をもって設けられ、前記酸化物半導体層と接する第2の電極と、を有し、 前記ゲート絶縁層は、前記第1の電極と重畳する第1の領域と、 前記第2の電極と重畳する第2の領域と、 前記第1の領域と前記第2の領域に挟まれ、前記第1の領域と接し、前記第2の領域とは間隙を有する、第3の領域と、 前記第3の領域と前記第2の領域に挟まれた第4の領域と、を有し、 前記第3の領域の静電容量は前記第4の領域の静電容量よりも小さくなるように設けられている半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283
FI (6件)：
H01L29/78 617S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617N ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/283 B
Fターム (110件)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD64 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF26 ,  4M104GG08 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA11 ,  5F110AA25 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HM12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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