特許
J-GLOBAL ID：201703020260167854
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 鵜飼 伸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-049111
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175592
特許番号：特許第6082282号
出願日： 2013年03月12日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 支持基板と、
前記支持基板上方に配置され、前記支持基板側から第1導電型の第1半導体層、発光機能を有する活性層、前記第1導電型と逆の第2導電型の第2半導体層を含む半導体積層と、
前記半導体積層の一部領域において、前記第1半導体層側から掘り込んで形成され、底面に前記第2半導体層を露出する凹部と、
前記第1半導体層表面上に形成された、半導体側第1接続金属層と、
前記凹部底面の第2半導体層表面上に形成された、半導体側第2接続金属層と、
前記半導体側第1接続金属層と前記支持基板の間に形成された、基板側第1接続金属層と、
前記半導体側第2接続金属層と対向する位置で、前記支持基板上に形成された形状可変金属層と、
前記形状可変金属層の側壁を囲み、前記形状可変金属層の上面と前記半導体側第2接続金属層の間に延在し、前記半導体側第2接続金属層と前記形状可変金属層との間にボイドを画定する、基板側第2接続金属層と、
を含む半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/36 ( 201 0.01)
, H01L 33/38 ( 201 0.01)
