特許

J-GLOBAL ID：201703020483850483

半導体装置

発明者： 豊田 久志 ,  山崎 幸一 ,  新井 耕一 ,  関 達弘
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-087671
公開番号（公開出願番号）：特開2016-207827
出願日： 2015年04月22日
公開日（公表日）： 2016年12月08日
要約：

【課題】半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】半導体装置は、ゲート電極3g、ソース電極3sおよびドレイン電極3dを有するノーマリオン型の接合FET3と、ゲート電極4g、ソース電極4sおよびドレイン電極4dを有するノーマリオフ型のMOSFET4と、を有する。接合FET3は、接合FET3のソース電極3sが、MOSFET4のドレイン電極4dと電気的に接続されることにより、MOSFET4と直列に接続されている。接合FET3のゲート電極3gは、MOSFET4のゲート電極4gと電気的に接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1ゲート電極、第1ソース電極および第1ドレイン電極を有するノーマリオン型の接合FETと、 第2ゲート電極、第2ソース電極および第2ドレイン電極を有するノーマリオフ型のMOSFETと、 を有し、 前記接合FETは、前記第1ソース電極が前記第2ドレイン電極と電気的に接続されることにより、前記MOSFETと直列に接続され、 前記第1ゲート電極は、前記第2ゲート電極と電気的に接続されている、半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/337 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/808 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/098 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06 ,  H02M 7/48

FI (18件)：

H01L29/80 V ,  H01L29/80 C ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 657A ,  H01L29/78 657E ,  H01L29/78 652F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/91 C ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 K ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/78 657G ,  H01L29/78 652S ,  H02M7/48 Z ,  H01L29/78 656A

Fターム (22件)：

5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB04 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL04 ,  5H770AA11 ,  5H770AA22 ,  5H770BA05 ,  5H770CA01 ,  5H770CA02 ,  5H770DA03 ,  5H770DA41 ,  5H770JA06Z ,  5H770JA10X ,  5H770JA18X ,  5H770QA01 ,  5H770QA04 ,  5H770QA05 ,  5H770QA06 ,  5H770QA08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 少なくとも2つの半導体デバイスを有する電子的スイッチング装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-572944   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-057949   出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-048117   出願人：古河電気工業株式会社