特許
J-GLOBAL ID：201703020703431240

半導体装置及びパワーダウン制御方法

発明者：
丸山 哲史

丸山 哲史 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-060335
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187508
特許番号：特許第6128911号
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 入力部と、 抵抗体を備え、前記抵抗体を介して前記入力部と電源とを接続する接続状態、及び前記入力部と前記電源との接続を遮断した非接続状態に切り替え可能な抵抗体回路と、 前記入力部に電流を供給する供給状態、及び前記入力部への前記電流の供給を遮断する非供給状態に切り替え可能な電流供給部と、 前記入力部のインピーダンスがハイインピーダンス状態に設定された場合に、前記電流供給部を前記非供給状態、かつ前記抵抗体回路を前記接続状態に各々切り替え、前記入力部のインピーダンスに応じた電位の第1の信号を出力すると共に、前記入力部の電位が所定電位に設定された場合に、前記電流供給部を前記供給状態、かつ前記抵抗体回路を前記非接続状態に各々切り替え、前記入力部の電位に応じた電位の第2の信号を出力する信号生成部と、を含み、 前記信号生成部は、前記電流供給部の切り替えと前記抵抗体回路の切り替えとの間に時間差を設けて各々の切り換えを実行する 半導体装置。
IPC (2件)：
H03K 19/0175 ( 200 6.01) ,  G06F 1/32 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H03K 19/00 101 K ,  G06F 1/32 Z
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (2件)
  • 特開平3-057316
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-103408   出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社

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