特許

J-GLOBAL ID：201703021107727367

固体撮像装置

発明者： 田村 輝
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-227340
特許番号：特許第6110552号
出願日： 2016年11月23日
要約：

【課題】ダイナミックレンジを向上させることができる半導体装置を提供する。 【解決手段】列方向及び行方向に配設された複数の画素と、複数の画素の数より少数配設 された第1のトランジスタと、を有し、複数の画素は、照射される光の強度により流れる 電流値が定まるフォトダイオードと、電流値により蓄積される電荷の量が定まり、且つ電 荷の量を情報として含む出力信号を生成する増幅回路と、をそれぞれ有し、増幅回路は、 蓄積された電荷を保持し、且つフォトダイオードの陰極と電気的に接続される第2のトラ ンジスタを少なくとも有し、同じ列に属する、n行(nは自然数)の画素が有する前記フ ォトダイオードの陰極と、n+1行に配設された画素が有するフォトダイオードの陰極の それぞれは、第1のトランジスタと電気的に接続されている半導体装置である。 【選択図】図2

請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の動作を行う機能と、第2の動作を行う機能と、を有する固体撮像装置であって、 第1のフォトダイオードと、第2のフォトダイオードと、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のフォトダイオードの陰極と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第1のノードと電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のフォトダイオードの陰極と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2のノードと電気的に接続され、 前記第1の動作は、前記第1のノードの電位に応じた第1の電位が配線を介して読み出される第3の動作と、前記第3の動作の後に、前記第2のノードの電位に応じた第2の電位が前記配線を介して読み出される第4の動作と、前記第4の動作の後に、前記第1のノードの電位及び前記第2のノードの電位をリセットする第5の動作と、を含み、 前記第2の動作は、前記第1のノードの電位に応じた第3の電位が前記配線を介して読み出される動作であり、 前記第1の動作時、前記第1のノードの電位は、前記第3の動作の後、前記第5の動作が行われるまで保持され、 前記第3の動作時、前記第1のフォトダイオードの陰極は、前記第1のノードに電気的に接続され、 前記第4の動作時、前記第2のフォトダイオードの陰極は、前記第2のノードに電気的に接続され、 前記第2の動作時、前記第1のフォトダイオードの陰極は、前記第1のノードに電気的に接続され、かつ、前記第2のフォトダイオードの陰極は、前記第1のノードに電気的に接続される固体撮像装置。

IPC (2件)：

H04N 5/3745 ( 201 1.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H04N 5/335 745 ,  H01L 27/14 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-191359   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-246202   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-316523   出願人：株式会社日立製作所