特許
J-GLOBAL ID:201703021216875430

レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-175993
公開番号(公開出願番号):特開2014-035413
特許番号:特許第6103852号
出願日: 2012年08月08日
公開日(公表日): 2014年02月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)を含有し、前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。 [式中、Ra01は2-オキサトリシクロ[4.2.1.04,8]ノナン-3-オン環以外の下記一般式(a0-r-2)〜(a0-r-7)のいずれかで表されるラクトン含有環式基、カーボネート含有環式基、又は-SO2-含有環式基、Ra02はメチル基又はエチル基である。] [Ra’21はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、-COOR”、-OC(=O)R”、ヒドロキシアルキル基またはシアノ基であり;R”は水素原子またはアルキル基であり;A”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、n’は0〜2の整数であり、A0”は酸素原子もしくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数2〜5のアルキレン基、酸素原子または硫黄原子であり、n’は0〜2の整数であり、m’は0または1である。]
IPC (2件):
G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/038 ( 200 6.01)
FI (2件):
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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