特許
J-GLOBAL ID：200903096766542878

高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
金生 剛

金生 剛 について

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武田 隆信

武田 隆信 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-041637
公開番号（公開出願番号）：特開2007-270128
出願日： 2007年02月22日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：
【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】下記一般式(1a)及び(1b)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物をベース樹脂とし、有機溶剤及び酸発生剤を含有する化学増幅型のレジスト材料。(nは1〜3、a1、b1は0<a1<1.0、0<b1≦0.8。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1a)及び(1b)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物。
IPC (5件)：
C08F 220/28 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 212/14 ,  G03F 7/004
FI (5件)：
C08F220/28 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R ,  C08F212/14 ,  G03F7/004 501
Fターム (56件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07S ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL31P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02S ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA10S ,  4J100BA11P ,  4J100BA14Q ,  4J100BB18P ,  4J100BB18R ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC04R ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BC58P ,  4J100BC84P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100GC07 ,  4J100GC25 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (12件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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