特許
J-GLOBAL ID:201703021336779443
フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び表示装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大塚 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-144998
公開番号(公開出願番号):特開2017-062462
出願日: 2016年07月24日
公開日(公表日): 2017年03月30日
要約:
【課題】より微細、より高いCD精度、透過率精度をあわせ持つフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】透明基板上に透光部、第1透過制御部及び第2透過制御部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法である。透明基板上に所定の露光光透過率をもつ第1薄膜を形成したフォトマスクブランクスを用意する工程、第1薄膜をエッチングすることにより第1薄膜パターンを形成する第1パターニング工程、第1薄膜パターンが形成された透明基板上に第2薄膜を形成し、第2薄膜をエッチングすることによって第2薄膜パターンを形成する第2パターニング工程を含む。上記第2パターニング工程においては上記第2薄膜のみをエッチングする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
透明基板上に、透光部、第1透過制御部、及び第2透過制御部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
前記透明基板上に、所定の露光光透過率をもつ第1薄膜を形成したフォトマスクブランクスを用意する工程と、
前記第1薄膜をエッチングすることにより、第1薄膜パターンを形成する、第1パターニング工程と、
前記第1薄膜パターンが形成された前記透明基板上に、第2薄膜を形成し、前記第2薄膜をエッチングすることにより、第2薄膜パターンを形成する、第2パターニング工程とを含み、
前記第2パターニング工程においては、前記第2薄膜のみをエッチングすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (3件):
G03F 1/76
, G03F 1/00
, G03F 1/32
FI (3件):
G03F1/76
, G03F1/00 Z
, G03F1/32
Fターム (10件):
2H195BA12
, 2H195BB03
, 2H195BB08
, 2H195BB10
, 2H195BB14
, 2H195BB25
, 2H195BB35
, 2H195BB36
, 2H195BC11
, 2H195BC24
引用特許: