姚永昭

ヤオヨンチャオ | Yao Yongzhao

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：無機材料、物性 , 結晶工学 , 結晶工学

研究キーワード (9件)：結晶欠陥評価 , ワイドギャップ半導体 , パワーデバイス , 放射光X線トポグラフィー , X線・電子線回折 , オペランド観察 , 酸化ガリウム , III族窒化物 , 化合物半導体

競争的資金等の研究課題 (19件)：

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論文 (91件)：

Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa. Characteristics of dislocations induced by Vickers indentation in hydride vapor phase epitaxy GaN. Journal of Materials Science. 2024. 59. 2974-2987
Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa. Anisotropic mechanical properties of β-Ga₂O₃ single-crystal measured via angle-dependent nanoindentation using a Berkovich indenter【Open Access】. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 215106
Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa. Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga₂O₃ revealed by Borrmann effect X-ray topography【Open Access】. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 155104
Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, et al. Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N-polar AlGaN/AlN FETs. physica status solidi (a). 2023. 220. 2200872
Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka, et al. Investigation of Electrical Properties of N-Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors. Physica Status Solidi (a). 2023. 220. 2200871

MISC (6件)：

姚永昭. X線異常透過を利用した酸化ガリウム結晶欠陥撮影. 公益社団法人日本アイソトープ協会 Isotope News. 2023. 789. 24-28
姚永昭. 低損失パワーデバイス用半導体材料β-Ga2O3 の転位評価技術の開発. (公財)日本板硝子材料工学助成会 NSG Found. Mat. Sci. Eng. Rep. 2023. 41. 203-209
姚永昭, 石川由加里. ラマン分光法、X線回折およびエッチピット法を用いた超ワイドバンドギャップ半導体ウエハの結晶性評価. Jasco Report. 2021. 63. 1
姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 斎藤広明, 旦野克典, 鈴木寛, 河合洋一郎. 炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発. FC Report. 2013. 31. 1. 12-14
姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 佐藤功二, 旦野克典, 鈴木寛, 坂本秀光, 別所毅. 低損失・省エネパワーデバイス用SiC結晶欠陥検出技術の開発. 金属. 2013. 83. 5. 425-432

特許 (13件)：

講演・口頭発表等 (41件)：

Visualization of structural defects in β-Ga2O3 using synchrotron X-ray techniques for power-device application
((INVITED TALK) ISPlasma2024 (16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials), Nagoya, Japan, Mar. 3-7, 2024 2024)
Synchrotron-radiation X-ray topographic and X-ray reticulographic observation of AlN single-crystal substrates
((ORAL) ICNS-14 (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors), Fukuoka, Japan, Nov. 12-17, 2023 2023)
Observation of dislocations in thick GaN substrates using synchrotron-radiation X-ray topography based on anomalous transmission
((ORAL) ICNS-14 (The 14th International Conference on Nitride Semiconductors), Fukuoka, Japan, Nov. 12-17, 2023 2023)
Operando and ex-situ X-ray topographic observation of dislocations in β-Ga2O3 Schottky barrier diodes and their glide and multiplication under device operation
((ORAL, Late News) IWGO-4 (The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials), Nagano, Japan, Oct 23-27, 2022 2022)
Dislocation analysis for large-area thick EFG β-Ga2O3 substrates using Borrmann effect synchrotron x-ray topography
((ORAL) IWGO-4 (The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials), Nagano, Japan, Oct 23-27, 2022 2022)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (7件)：

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委員歴 (8件)：

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受賞 (15件)：

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所属学会 (6件)：

応用物理学会 , フォトンファクトリー同窓会 , X線トポグラフィ研究会 , KEK-PFユーザーアソシエーション , SPring-8ユーザー協同体 , 先進パワー半導体分科会

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姚 永昭