内田建

ウチダケン | Ken Uchida

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：ナノ材料科学

競争的資金等の研究課題 (9件)：

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論文 (183件)：

C. -W. Pai, K. Uchida, M. Tada, H. Ishikuro. A Cryo-CMOS 10-bit 60-MS/s SAR ADC with Common-Mode Variation Suppression Switching Scheme and Gain Boosting Dynamic Comparator. Microelectronics Journal. 2024. 153
J. Shiomi, K. Uchida. Scientific challenges of cryo-electronics thermal management. Nat. Rev. Electr. Eng. 2024
Qi-Chun Jiang, Tomohiro Iwai, Morihiro Jo, Takuro Hosomi, Takeshi Yanagida, Ken Uchida, Kazuki Hashimoto, Takashi Nakazono, Yusuke Yamada, Atsushi Kobayashi, et al. Insulated π-Conjugated Azido Scaffolds for Stepwise Functionalization via Huisgen Cycloaddition on Metal Oxide Surfaces. Small. 2024
Taro Kato, Takahisa Tanaka, Ken Uchida. Thermal-aware device design of low-power H₂S sensors using Joule-heated Au nanosheet. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 6. 065003-065003
Tomohisa Miyao, Keito Yoshinaga, Takahisa Tanaka, Hiroki Ishikuro, Munehiro Tada, Ken Uchida. Imaginary impedance due to hopping phenomena and evaluation of dopant ionization time in cryogenic metal-oxide-semiconductor devices on highly doped substrate. Applied Physics Express. 2024. 17. 5. 051001-051001

MISC (40件)：

田中千加, 萩島大輔, 内田建, 沼田敏典. シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計 (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2013. 113. 296. 37-42
内田建. C-12-26 ナノスケールMOSFETのキャリア輸送(受賞記念講演,C-12.集積回路,一般セッション). 電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集. 2013. 2013. 2. 86-86
太田健介, 齋藤真澄, 田中千加, 内田建, 沼田敏典. 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整. 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路. 2012. 112. 170. 37-42
太田健介, 齋藤真澄, 田中千加, 内田建, 沼田敏典. 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2012. 112. 169. 37-42
宮本恭幸, 山田真之, 内田建. InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 (マイクロ波). 電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報. 2012. 111. 374. 59-62

講演・口頭発表等 (231件)：

六方晶(NH4)xWO3ナノワイヤの酸素アニールによる新奇な電子濃度制御技術
(第85回応用物理学会秋季学術講演会,新潟,17.2 グラフェン, 18a-A37-6 2024)
Covalent Functionalization of CVD Monolayer Graphene with Cobalt Phthalocyanine for Fast, Sensitive, Selective, and Stable Ammonia Sensors
(The 85th JSAP Autumn Meeting 2024, Niigata,17.2Graphene,18a-A37-6 2024)
IrO2ナノシートを用いたCH4センサの開発および評価
(第85回応用物理学会秋季学術講演会,新潟,9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート, 16p-C301-12 2024)
クライオCMOS素子の物理〜過渡応答特性を中心として〜
(2024)
ナノスケールトランジスタの課題
(2024)

学歴 (2件)：

経歴 (4件)：

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内田 建