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J-GLOBAL ID：201802211088973833   整理番号：18A1212666

エピタキシャルGaN薄膜のイオンビーム支援蒸着【JST・京大機械翻訳】

Ion Beam Assisted Deposition of Thin Epitaxial GaN Films

著者 (6件)： Rauschenbach Bernd (Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany) ,  Rauschenbach Bernd (Felix-Bloch Institute for Solid State Physics, Universitaet Leipzig, Linnestrasse 5, 04103 Leipzig, Germany) ,  Lotnyk Andriy (Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany) ,  Neumann Lena (Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany) ,  Poppitz David (Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany) ,  Gerlach Juergen W. (Leibniz Institute of Surface Modification, Permoserstr. 15, 04318 Leipzig, Germany)
資料名： Materials (Web)  (Materials (Web))
巻： 10  号： 7  ページ： 690  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7237A  ISSN： 1996-1944  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低エネルギーイオン衝撃による薄膜蒸着の支援は,それらの最終特性に著しく影響する。特に,いわゆる超熱イオン(エネルギー<100eV)の応用は,多数の照射誘起欠陥を発生することなく成長膜の特性を修正することができる。窒素イオンビーム支援分子線エピタクシー(イオンエネルギー<25eV)を用いて,700°Cで(0001)配向6H-SiC基板上にGaN薄膜を堆積させた。膜を,反射高エネルギー電子回折,X線回折によるex situ,走査トンネル顕微鏡,および高分解能透過型電子顕微鏡によりその場研究した。膜成長モードはイオン対原子比を変えることにより制御でき,二次元膜は滑らかなトポグラフィー,高い結晶質,低い二軸応力,低い欠陥密度により特性化されることを実証した。GaN薄膜における典型的な構造欠陥は,基底面積層欠陥,低角度結晶粒界がw-GaNとz-GaNおよび双晶境界の間に形成されると同定された。GaN薄膜と基板の間のミスフィット歪は,GaN薄膜の第一および第二単層およびミスフィット界面転位におけるエッジ転位の発生によって軽減される。低エネルギー窒素イオン支援分子線エピタクシーは高結晶品質のGaN薄膜を作製する技術であることを実証した。Copyright 2018 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 刃状転位 ,  ミスフィット ,  結晶 ,  二次元 ,  *窒化ガリウム ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  結晶粒界 ,  MBE成長 ,  単一層 ,  キャラクタリゼーション ,  欠陥密度 ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  界面
準シソーラス用語： 低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： イオンビーム支援蒸着 ,  窒化ガリウム薄膜 ,  超熱イオン

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• Manasreh, O. III-Nitride Semiconductors: Electrical, Structural and Defect Properties; Elsevier: Amsterdam, The Netherlands, 2000.
• Finzel, A.; Gerlach, J.W.; Lorbeer, J.; Frost, F.; Rauschenbach, B. High-fluence hyperthermal ion irradiation of gallium nitride surfaces at elevated temperatures. Appl. Surf. Sci. 2014, 317, 811-817.
• Greene, J.E.; Barnett, S.A.; Sundgren, J.-E.; Rockett, A. Low-energy ion/surface interactions during film growth from the vapor phase. In Ion Beam Assisted Deposition; Itoh, T., Ed.; Elsevier: Amsterdam, The Netherlands, 1989; pp. 105-152.
• Neumann, L.; Gerlach, J.W.; Rauschenbach, B. Initial stages of the ion-beam assisted epitaxial GaN film growth on 6H-SiC (0001). Thin Solid Films 2012, 520, 3936-3945.
• Liu, L.; Edgar, J.H. Substrates for gallium nitride epitaxy. Mater. Sci. Eng. R 2002, 37, 61-127.

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  GaN ,  薄膜 ,  イオンビーム支援蒸着