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J-GLOBAL ID：201802211131536679   整理番号：18A2103726

有機金属気相エピタクシーにより成長させたAlN層の構造および光学特性に及ぼすホウ素取り込みの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Boron Incorporation on Structural and Optical Properties of AlN Layers Grown by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

著者 (8件)： Imura Masataka (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Ota Yuichi (Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute, 2-4-10 Aomi, Koto-ku, Tokyo 135-0064, Japan) ,  Banal Ryan G. (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Liao Meiyong (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Nakayama Yoshiko (NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Takeguchi Masaki (NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan) ,  Koide Yasuo (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Koide Yasuo (NIMS, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 21  ページ： e1800282  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)層の構造的及び光学的性質に及ぼすホウ素(B)取込の影響を調べるために,柱状構造を持たないBドープAlN層を,有機金属気相エピタクシーによりAlN下地層を持つc面サファイア基板上に成長させた。トリエチルホウ素, トリメチルアルミニウムとアンモニアをそれぞれB,Al,N前駆体として用いた。BドープAlN層はマクロスケールとマイクロスケールで2.0×10~21cm~3(≒2%)の均一B濃度を示した。しかし,大部分のB原子はナノスケールでAlN層中に偏析し,BAlN合金を形成しない。その結果,高密度ドット形状の結晶欠陥が層内に誘起された。ドット形状の結晶欠陥は[数式:原文を参照]ファセットに沿って整列し,高密度酸素原子を有する複雑な傾斜欠陥を形成する。これらの欠陥は,従来の結晶欠陥,例えば,貫通転位や積層欠陥のそれらよりはるかに悪い結晶品質と発光特性をもたらす。したがって,BドープAlNの結晶品質の更なる改善は,BAlN合金半導体の潜在的性質を理解するために重要である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *光学的性質 ,  *ホウ素 ,  アンモニア ,  貫通転位 ,  ファセット ,  積層欠陥 ,  アルミニウム ,  合金 ,  偏析 ,  *MOCVD ,  電子顕微鏡観察 ,  格子欠陥 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化アルミニウム(AlN) ,  窒化ホウ素アルミニウム(BALN) ,  有機金属気相エピタクシー(MOVPE) ,  走査型透過電子顕微鏡(STEM)

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  AlN ,  光学特性 ,  ホウ素 ,  取り込み