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J-GLOBAL ID：201802211317172853   整理番号：18A0609704

プラズマ支援InP/Al_2O_3/SOI直接ウエハボンディングに及ぼすNH_4OH処理の影響【Powered by NICT】

Effect of NH₄OH Treatment on Plasma-Assisted InP/Al₂O₃/SOI Direct Wafer Bonding

著者 (8件)： Gong Kewei (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China) ,  Sun Changzheng (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China) ,  Xiong Bing (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China) ,  Han Yanjun (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China) ,  Hao Zhibiao (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China) ,  Wang Jian (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China) ,  Wang Lai (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China) ,  Li Hongtao (Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology State Key Lab on Integrated Optoelectronics Department of Electronic Engineering Tsinghua University, Beijing 100084, P. R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 215  号： 5  ページ： ROMBUNNO.201700739  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP/Al_2O_3/SOI直接ウエハボンディングに及ぼすNH_4OH処理の影響を調べた。原子間力顕微鏡(A FM)及び水接触角(CA)の結果は,NH_4OH処理InPウエハの二乗平均平方根(RMS)表面粗さとCAの減少を明らかにした。X線光電子分光法(XPS)解析は,結合表面の化学組成を確認するために行った。NH_4OH処理とそれに続くプラズマ活性化によるInPウエハの表面上の酸化物の含有量を増加させることが分かった。これらの結果に基づいて,NH_4OH処理は接合面の増加親水性と接触面積を助ける,それゆえプラズマ支援InP/Al_2O_3/SOIウエハボンディングの成功に寄与すると結論した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 実効値 ,  親水性 ,  *プラズマ ,  原子間力顕微鏡 ,  *リン化インジウム ,  酸化物 ,  X線光電子分光法 ,  化学組成
準シソーラス用語： 接触面積 ,  水接触角 ,  *ウエハボンディング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 表面結合 ,  親水性 ,  NH4OH処理 ,  oxides ,  ウエハ結合

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  支援 ,  InP ,  SOI ,  ウエハボンディング