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J-GLOBAL ID:201802211816439004   整理番号:18A1976167

水素-アルゴン混合スパッタリング法により作製したBi2Te3薄膜の構造評価

Structural Evaluation of Bi2Te3 Thin Films Prepared by Hydrogen-Argon Mixing Sputtering
著者 (3件):
資料名:
巻: 30  ページ: ROMBUNNO.30105(J-STAGE)  発行年: 2018年 
JST資料番号: U0417A  ISSN: 1881-3917  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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異なるH2-Arガス混合比をもつ高周波マグネトロンスパッタリングを用いてテルル化ビスマス(Bi2Te3)薄膜を調製し,Bi2」Te3薄膜の構造特性を調べた。テルル原子がテルル原子と水素原子の間の化学反応により膜から失われるので,混合比が増加すると薄膜の堆積速度は減少した。この現象は,走査電子顕微鏡観察(SEM),電子プローブマイクロアナライザ(EPMA),およびX線回折法(XRD)などの他の分析の結果で支持された。最も高い結晶性は,5%のH2「-Arガス混合比で得られた。H2」ガスを導入したとき,膜表面近くの酸素濃度は減少した。従って,著者らは,Bi2Te3薄膜の結晶度と高密度構造が,スパッタリング堆積における水素ガスの最適量を導入することによって改善されたと結論づける。薄膜の電気伝導率は電子輸送の増強により改善されることが期待できる。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 

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