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J-GLOBAL ID：201802212439567268   整理番号：18A1341988

LSI一体集積のためのシリコン上PbS量子ドット赤外フォトダイオードの試作

Fabrication of PbS QD/Silicon Hybrid Infrared Photodiode for LSI Platform

著者 (10件)： 肥後昭男 (東京大学大規模集積システム設計教育研究センター) ,  三田吉郎 (東京大学大学院工学系研究科) ,  Wang Haibin (東京大学先端科学技術研究センター) ,  久保貴哉 (東京大学先端科学技術研究センター) ,  瀬川浩司 (東京大学先端科学技術研究センター) ,  宇佐美尚人 (東京大学大学院工学系研究科) ,  岡本有貴 (東京大学大学院工学系研究科) ,  山田健太郎 (東京大学大学院工学系研究科) ,  竹城雄大 (東京大学大学院工学系研究科) ,  杉山正和 (東京大学先端科学技術研究センター)
資料名： 電気学会論文誌 E  (IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines)
巻： 138  号： 7  ページ： 307-311(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： L3098A  ISSN： 1341-8939  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大規模集積シリコンベースデバイスによる近赤外検出器は,画像センサに関する安全な応用で非常に魅力的である。シリコンバンドギャップを超えて,PbSコロイド量子ドット(CQD)とシリコン集積に焦点を合わせた。本論文では,PbS CQDとシリコンハイブリッドIR検出器の作製プロセスを調べた。PbS CQD薄膜の温度依存光ルミネセンスを測定し,PbS CQDのバンドギャップが種々の温度で変化しないことを見出した。分光計による光学応答が1550nm領域で観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *硫化鉛 ,  酸化亜鉛 ,  *コロイド ,  *量子ドット ,  *赤外検出器 ,  バンドギャップ ,  光ルミネセンス ,  温度依存性 ,  *LSI【IC】 ,  フォトダイオード
準シソーラス用語： PbS ,  ZnO ,  コロイド量子ドット

著者キーワード (10件)： PBS ,  コロによるコロのコロ ,  ZnO ,  シリによるシリのシリ ,  赤外 赤外 ,  PBS ,  コロイド量子ドット ,  ZnO ,  シリコンプラットフォーム ,  IR検出器

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

引用文献 (9件)：

• (1) G. Eason, B. Noble, and I. N. Sneddon : “On certain integrals of Lipschitz-Hankel type involving products of Bessel functions”, Phil. Trans. Roy. Soc. London, Vol. A247, pp. 529-551, April 1955 (references)
• (2) J. Heo, Z. Jiang, J. Xu, and P. Bhattacharya : “Coherent and directional emission at 1.55 um from PbSe colloidal quantus dot electroluminescent device on silicion”, Opt. Express, 19, 26394-26398 (2011)
• (3) A. Higo, T. Kiba, Y. Tamura, C. Thomas, J. Takayama, Y. Wang, H. Sodabanlu, M. Sugiyama, Y. Nakano, I. Yamashita, A. Murayama, and S. Samukawa : “Light-Emitting Devices Based on Top-down Fabricated GaAs Quantum Nanodisks”, Scientific Reports, Vol. 5, p. 9371 (2015)
• (4) N. Daldosso, D. Navarro-Urrios, A. Pitanti, F. Gourbil-leau, R. Rizk, and L. Pavesi : “Erbium and silicon nanocrystals for light amplification”, in Proceeding of IEEE conference of lasers and Electro-Optics Society (LEOS), pp. 933-934 (2007)
• (5) L. Li, R. Takigawa, A. Higo, E. Higurashi, M. Sugiyama, B. Liu, and Y. Nakano : “Electrical pumping Fabry-Perot lasing of a III-V layer on a highly doped silicon micro rib”, Laser Physics Letters, Vol. 11, No. 11, p. 115807 (2014)

タイトルに関連する用語 (8件)： LSI ,  集積 ,  シリコン ,  PbS ,  量子ドット ,  赤外 ,  フォトダイオード ,  試作