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J-GLOBAL ID：201802213447305426   整理番号：18A1713643

Al-SnフラックスにおけるAlN単結晶の成長条件【JST・京大機械翻訳】

Conditions for growth of AlN single crystals in Al-Sn flux

著者 (8件)： Song Yelim (Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Song Yelim (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Kawamura Fumio (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Taniguchi Takashi (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Shimamura Kiyoshi (Graduate School of Advanced Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Shimamura Kiyoshi (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Ohashi Naoki (National Institute for Materials Science, Tsukuba, Japan) ,  Ohashi Naoki (Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, Midori, Japan)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 101  号： 11  ページ： 4876-4879  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Al-Snフラックス系とその成長条件を調べ,AlN単結晶を得た。50μmのサイズのAlN単結晶を窒素ガス圧力下でAl-Sn融液を用いて成長させることに成功した。AlN結晶の成長領域を圧力-温度図を用いて確立した。AlN結晶成長に必要な窒素ガス圧は温度上昇と共に減少し,AlNは1300°C以上の0.1MPa窒素圧力で成長した。種々のAl濃度でAlN収率を調べることにより,Al-Sn融液中のAl成分が窒素溶解を促進することを確認した。最後に,走査電子顕微鏡分析は,得られたAlN粒子が良好な形態を示すことを示した。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フラックス法 ,  昇温 ,  窒素 ,  溶解 ,  *結晶 ,  *アルミニウム ,  *窒化アルミニウム ,  *単結晶 ,  結晶成長
準シソーラス用語： ガス圧 ,  融液 ,  *成長条件 ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化アルミニウム ,  フラックス成長 ,  成長可能な領域 ,  単結晶

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Sn ,  フラックス ,  AlN ,  単結晶 ,  成長条件