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J-GLOBAL ID：201802213948357806   整理番号：18A1300152

2%を超える窒素組成を持つGaAs/GaNAsコア-マルチシェルナノワイヤ【JST・京大機械翻訳】

GaAs/GaNAs core-multishell nanowires with nitrogen composition exceeding 2%

著者 (9件)： Yukimune M. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Fujiwara R. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Ikeda H. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Yano K. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Takada K. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan) ,  Jansson M. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Chen W. M. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Buyanova I. A. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, 58183 Linkoping, Sweden) ,  Ishikawa F. (Graduate School of Science and Engineering, Ehime University, 3 Bunkyo-cho, Matsuyama, Ehime 790-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 1  ページ： 011901-011901-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2%を超えるN組成をもつGaAs/GaNAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤの成長を報告した。Si(111)基板上にGa誘起蒸気-液体-固体成長を用いてプラズマ支援分子線エピタクシーにより構造を成長させた。GaNAsシェルは,公称的に0%,2%,および3%の窒素を含んでいる。軸断面走査透過型電子顕微鏡測定により,コアマルチシェル構造の存在を確認した。室温マイクロ光ルミネセンス測定により,ナノワイヤ中のN含有量の増加に伴う検出発光の赤方偏移を明らかにした。これは,ボーイング効果によるGaNAsバンドギャップエネルギーの予想される変化と一致した。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プラズマ ,  *ガリウム ,  発光 ,  *窒素 ,  *ヒ化ガリウム ,  VLS成長 ,  MBE成長 ,  シェル構造 ,  *ナノワイヤ ,  赤方偏移 ,  ケイ素
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  マイクロ光ルミネセンス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒素 ,  組成 ,  GaAs ,  コア