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J-GLOBAL ID：201802214194405930   整理番号：18A1614432

Ge(100)修飾基板上に熱蒸着したBaSi_2薄膜の作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and properties characterization of BaSi₂ thin-films thermally-evaporated on Ge (100) modified substrates

著者 (6件)： Lien Mai Thi Kieu (Venture Business Laboratory, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Lien Mai Thi Kieu (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Lien Mai Thi Kieu (University of Science and Education, The University of Danang, 459 Ton Duc Thang, Hoa Khanh Nam, Lien Chieu, Da Nang, Vietnam) ,  Nakagawa Yoshihiko (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Kurokawa Yasuyoshi (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 663  ページ： 14-20  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸着法により修飾ゲルマニウム(Ge)基板上に斜方晶系二けい化バリウム(BaSi_2)薄膜を作製し,Ge基板の表面改質を簡単な化学エッチング法により行った。BaSi_2膜の結晶品質と光学特性に及ぼすエッチング時間の影響を研究した。結果は,基板改質が結晶品質を改善し,光反射を減少させ,BaSi_2薄膜の吸収を増加させるのに正の影響を持つことを明らかにした。結晶品質と光学特性の間のトレードオフを考慮して,エッチング時間を15分で最適化した。Ge基板上の蒸着膜の少数キャリア寿命は3.17μsを達成し,これは薄いBaSi_2膜で得られた高い値である。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  光反射 ,  斜方晶系 ,  光学的性質 ,  蒸着膜 ,  *キャラクタリゼーション ,  *真空蒸着 ,  ウェットエッチング ,  最適化 ,  *基板 ,  エッチング
準シソーラス用語： 少数キャリア寿命 ,  結晶品質 ,  ケイ化バリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 二けい化バリウム ,  シリサイド半導体 ,  熱蒸発 ,  基板改質 ,  光学的性質 ,  少数キャリア寿命

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  修飾 ,  熱蒸着 ,  薄膜 ,  作製 ,  特性評価