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J-GLOBAL ID：201802214244966622   整理番号：18A1489848

セリウムドープGd_3Al_2Ga_3O_12結晶中の酸素空孔に隣接するGd2+イオンにより形成された浅い電子トラップ【JST・京大機械翻訳】

Shallow electron traps formed by Gd²⁺ ions adjacent to oxygen vacancies in cerium-doped Gd₃Al₂Ga₃O₁₂ crystals

著者 (9件)： Kitaura Mamoru (Faculty of Science, Yamagata University, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Watanabe Shinta (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Kamada Kei (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University, Sendai 980-8579, Japan) ,  Jin Kim Kyoung (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Yoshino Masao (Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Kurosawa Shunsuke (Faculty of Science, Yamagata University, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Yagihashi Toru (Faculty of Science, Yamagata University, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Ohnishi Akimasa (Faculty of Science, Yamagata University, Yamagata 990-8560, Japan) ,  Hara Kazuhiko (Research Institutes of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu 432-8011, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 113  号： 4  ページ： 041906-041906-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セリウムをドープしたGd_3Al_2Ga_3O_12(Ce:GAGG)中の浅い電子トラップの起源を明らかにするために,セリウムをドープしたLu_3-_xGd_xAl_2Ga_3O_12結晶の光学的性質を調べた。x=3の吸収スペクトルは,3.31eV紫外光で励起したとき,12000cm-1で顕著なバンドを示した。このバンドは以前に酸素空孔に関連した欠陥錯体における浅い電子トラップに起因していた。Gd3+イオンがLu3+イオンで置換されたとき,12000cm-1バンドは弱まり,Ce:Lu_3Al_2Ga_3O_12に対して完全に消失した。さらに,熱刺激ルミネセンスグロー曲線を観測した。光学的に刺激されたルミネセンスは,伝導帯極小のエネルギーがLu3+イオンの存在によって変化しないことを示した。従って,Gd3+イオンはCe:GAGG中の浅い電子トラップの形成に重要であった。第一原理計算は,浅い電子トラップの原因となるGd3+イオンがGAGG八面体サイトでアンチサイト欠陥を形成することを意味した。したがって,酸素空格子点に隣接するアンチサイトGd2+イオンの欠陥錯体がCe:GAGG中の浅い電子トラップに対する最も妥当な候補であった。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  熱ルミネセンス ,  錯体 ,  *セリウム ,  *ドーピング ,  *結晶 ,  吸収スペクトル ,  グロー曲線 ,  ルミネセンス ,  紫外線 ,  光学的性質
準シソーラス用語： アンチサイト欠陥 ,  第一原理計算 ,  GAGG ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： セリウム ,  ドープ ,  結晶 ,  酸素空孔 ,  イオン ,  電子トラップ