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J-GLOBAL ID：201802214540004716   整理番号：18A0446849

ホールバリアフリーEモードLPCVD SiN_x/GaN MISFETの逆バイアス安定性と信頼性【Powered by NICT】

Reverse-bias stability and reliability of hole-barrier-free E-mode LPCVD-SiN_x/GaN MIS-FETs

著者 (8件)： Hua Mengyuan (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Wei Jin (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Bao Qilong (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  He Jiabei (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Zhang Zhaofu (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Zheng Zheyang (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Lei Jiacheng (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Chen Kevin J. (The Hong Kong University of Science and Technology, Kowloon, Hong Kong, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 33.2.1-33.2.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： かなり限定的正孔生成により,EモードnチャネルLPCVD SiNx/GaN MISFETは正孔障壁がなくても小NBTI(V_ds=0Vと負V_gs= 30V)を示した。高逆バイアス(すなわちV_gs<V_thと大きなV_dsと高ドレインバイアスオフ状態)ストレスでは,大きな負のゲートバイアスはV_thの正のシフトを加速することを見出し,正孔誘起ゲート誘電体劣化機構を示唆した。V_gsはV_th下数ボルトに限られている場合に正孔誘起絶縁破壊は大幅に含まれることができることを明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  *MISFET ,  チャネル ,  *信頼性 ,  ゲート絶縁膜 ,  正孔 ,  *LPCVD
準シソーラス用語： 劣化機構 ,  ゲートバイアス ,  オフ状態 ,  NBTI ,  孔形成 ,  *逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ホール ,  バリアフリー ,  LPCVD ,  GaN ,  MISFET ,  バイアス ,  安定性