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J-GLOBAL ID:201802215361661569   整理番号:18A0932019

光キャリア計数による界面状態の非接触評価

Noncontact evaluation for interface states by photocarrier counting
著者 (6件):
資料名:
巻: 57  号:ページ: 031301.1-031301.6  発行年: 2018年03月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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インライン測定を可能にし,試験要素群(TEG)の定式化を行わない非接触測定法を開発した。この方法では,「光キャリア計数」と呼ぶ界面状態から励起した光キャリアの数を計数し,次に,界面状態密度(Dit)のエネルギー分布をスペクトル光励起によって評価する。著者らが以前の実験で用いた方法はSiウエハ上の酸化物における予備接触測定法であった。今回,プローブとウエハ間のギャップを有する非接触測定としてDit測定法を開発した。シャロートレンチアイソレーション(STI)側壁はゲート電極の下の領域よりも局在化した界面状態を有する。三つの異なる結晶面配向を有するウエハを用いて界面状態から捕獲されたキャリアの非接触測定を実証した。この実証は将来の研究においてSTI側壁界面状態を評価するための道を開くと思われる。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  表面の電子構造 
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