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J-GLOBAL ID：201802215361661569   整理番号：18A0932019

光キャリア計数による界面状態の非接触評価

Noncontact evaluation for interface states by photocarrier counting

著者 (6件)： FURUTA Masaaki (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  SHIMIZU Kojiro (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN) ,  MAETA Takahiro (GlobalWafers Japan Co., Ltd., Niigata, JPN) ,  MIYASHITA Moriya (GlobalWafers Japan Co., Ltd., Niigata, JPN) ,  IZUNOME Koji (GlobalWafers Japan Co., Ltd., Niigata, JPN) ,  KUBOTA Hiroshi (Kumamoto Univ., Kumamoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 3  ページ： 031301.1-031301.6  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インライン測定を可能にし,試験要素群(TEG)の定式化を行わない非接触測定法を開発した。この方法では,「光キャリア計数」と呼ぶ界面状態から励起した光キャリアの数を計数し,次に,界面状態密度(D_it)のエネルギー分布をスペクトル光励起によって評価する。著者らが以前の実験で用いた方法はSiウエハ上の酸化物における予備接触測定法であった。今回,プローブとウエハ間のギャップを有する非接触測定としてD_it測定法を開発した。シャロートレンチアイソレーション(STI)側壁はゲート電極の下の領域よりも局在化した界面状態を有する。三つの異なる結晶面配向を有するウエハを用いて界面状態から捕獲されたキャリアの非接触測定を実証した。この実証は将来の研究においてSTI側壁界面状態を評価するための道を開くと思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *搬送波 ,  光ポンピング ,  *表面準位 ,  非接触測定 ,  *状態密度 ,  スペクトル ,  ウエハ【IC】 ,  アイソレーション【IC】 ,  *界面状態密度 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Siウエハ ,  シャロートレンチアイソレーション ,  界面状態 ,  *光キャリア ,  光励起 ,  非接触

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

引用文献 (29件)：

• S. M. Sze, Semiconductor Devices: Physics and Technology (Wiley, New York, 2008) 3rd ed., p. 171.
• E. Simoen and C. Claeys, Mater. Sci. Eng. B 91-92, 136 (2002).
• P. C. Fazan and V. K. Mathews, IEDM Tech. Dig., 1993, p. 57.
• S. Inaba, M. Takahashi, Y. Okayama, A. Yagishita, F. Matsuoka, and H. Ishiuchi, Proc. Int. Symp. VLSI Technology and Circuits, 1997, p. 119.
• C. Y. Chan, Y. S. Lin, Y. C. Huang, S. S. Hsu, and Y. Z. Juang, IEEE Trans. Electron Devices 54, 3383 (2007).

タイトルに関連する用語 (5件)： 光キャリア ,  計数 ,  界面状態 ,  非接触 ,  評価