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J-GLOBAL ID：201802215384363160   整理番号：18A0446767

直径サブ10nm InGaAs垂直ナノワイヤMOSFET【Powered by NICT】

Sub-10 nm diameter InGaAs vertical nanowire MOSFETs

著者 (6件)： Zhao X. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139) ,  Heidelberger C. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139) ,  Fitzgerald E. A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139) ,  Lu W. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139) ,  Vardi A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139) ,  del Alamo J. A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology 60 Vassar St., Room 39-613 Cambridge, MA, U.S.A. 02139)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 17.2.1-17.2.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体系における任意の種類の最初のサブ10nm直径の垂直ナノワイヤトランジスタを示した。これらのデバイスは,反応性イオンエッチング,アルコールベースディジタルエッチングとNi合金接触を用いたトップダウンアプローチにより作製したInGaAs MOSFETである。Ioff=100nA/μmとVdd=0.5Vで350μA/μmの記録イオンは7nm直径のデバイスで得られた。同じデバイスは,Vds=0.5Vで90mV/decの1.7mS/μmのピーク相互コンダクタンス(gm, pk)と最小サブ閾値スイング(S)を示し,垂直ナノワイヤトランジスタで報告された19の最高の品質係数(比gm,pk/Sとして定義される)を達成した。直径は7nmまで縮小するにつれ優れたスケーリング挙動をgm,pKとイオン増加が観察された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  イオン ,  *MOSFET ,  *ナノワイヤ ,  RIE【エッチング】 ,  半導体 ,  ニッケル合金 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： 品質係数 ,  サブ閾値スイング ,  ナノワイヤトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 直径 ,  サブ ,  InGaAs ,  垂直 ,  ナノワイヤ ,  MOSFET