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J-GLOBAL ID：201802215758390039   整理番号：18A0623711

室温でNO_2へMoS_2/多孔質シリコンナノ細線ヘテロ接合の高度に増強された応答【Powered by NICT】

Highly enhanced response of MoS₂/porous silicon nanowire heterojunctions to NO₂ at room temperature

著者 (6件)： Zhao Shufen (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China. [e-mail]) ,  Li Zhengcao ,  Wang Guojing ,  Liao Jiecui ,  Lv Shasha ,  Zhu Zhenan
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 8  号： 20  ページ： 11070-11077  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高応答性NO_2ガスセンサとしての種々の厚さのモリブデンジスルフィド/多孔質シリコンナノワイヤ(MoS_2/PSiNW)ヘテロ接合は,本研究で得られた。多孔質シリコンナノワイヤは金属支援化学エッチングを用いて作製した,異なる厚さを播種した。その後,MoS_2ナノシートはPSiNWに直流(DC)マグネトロンスパッタリングMo膜の硫化により合成した。調製されたままのPSiNWとMoS_2と比較して,MoS_2/PSiNWヘテロ接合は,低い検出濃度1ppm,室温で~2.3の高い応答増強因子をもつ優れたガス検知特性を示した。ガス感度の増強は,層状ナノ構造,NO_2の吸収のためのより多くの活性サイトを誘導すると界面での空乏層幅の変調に起因した。さらに,ガス検知特性に及ぼす化学蒸着(CVD)プロセスにおける蒸着温度の影響についてもまた考察し,MoS_2ナノシートの核形成と成長に関係している可能性がある。著者らの結果は,MoS_2/PSiNWヘテロ接合は,様々な用途のための高性能NO_2センサを構築するための良い候補であることを示した。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ガスセンサ ,  マグネトロンスパッタリング ,  核形成 ,  活性部位 ,  ウェットエッチング ,  *ヘテロ接合 ,  *多孔性 ,  界面 ,  ナノシート ,  応答特性 ,  直流 ,  化学蒸着 ,  空乏層
準シソーラス用語： ガス検知 ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  多孔質シリコン ,  ナノ細線 ,  ヘテロ接合 ,  増強 ,  応答