三ハロゲン化物気相エピタクシーによるn極GaN成長の成長温度と過剰塩素効果【JST・京大機械翻訳】

Takekawa Nao; Hayashida Naoto; Ohzeki Daisuke; Yamaguchi Akira; Murakami Hisashi; Kumagai Yoshinao; Matsumoto Koh; Koukitu Akinori

文献

J-GLOBAL ID：201802215773994046 整理番号：18A1859637

三ハロゲン化物気相エピタクシーによるn極GaN成長の成長温度と過剰塩素効果【JST・京大機械翻訳】

Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy

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Takekawa Nao

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Hayashida Naoto

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Yamaguchi Akira

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資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

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巻： 502 ページ： 7-13 発行年： 2018年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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本論文では,三ハロゲン化物気相エピタクシーによるN-極性GaN基板上の厚いGaNの成長に及ぼす成長温度と塩素ガスの影響を調べた。結果は,遊離Cl_2が高速成長に必要であることを明らかにした。成長温度が増加すると,結晶品質は改善され,高い成長速度と高い結晶品質が同時に達成される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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