TiO_2-(001)基板上に堆積した相分離VO_2膜の形態【JST・京大機械翻訳】

Cho Youngji; Aritomi Shodai; Kanki Teruo; Kinoshita Koichi; Endo Noriaki; Kondo Yukihito; Shindo Daisuke; Tanaka Hidekazu; Murakami Yasukazu; Murakami Yasukazu

文献

J-GLOBAL ID：201802217961145604 整理番号：18A0710179

TiO_2-(001)基板上に堆積した相分離VO_2膜の形態【JST・京大機械翻訳】

Morphology of phase-separated VO₂ films deposited on TiO₂-(001) substrate

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Cho Youngji

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Materials Research Bulletin (Materials Research Bulletin)

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巻： 102 ページ： 289-293 発行年： 2018年
JST資料番号： B0954A ISSN： 0025-5408 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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正方晶(金属)相が単斜晶(絶縁)相と共存する相分離VO_2膜の基本形態を透過型電子顕微鏡を用いて研究した。非歪結晶における相変態温度は約340Kであるが,298Kでは,弾性歪(TiO_2-(001)基板との格子不整合によって引き起こされる)がVO_2/TiO_2境界近くの正方晶相を安定化することが観察された。正方晶相の観察されたジグザグ型界面は正方晶と単斜晶相の間の結晶方位関係によって説明された。観測はVO_2膜の将来の応用に対する価値ある情報を提供する。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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