横方向に形成されたp-nダイオードアクチュエータにより駆動されたシリコンリング共振器における種々の振動モード

TSUSHIMA Takafumi; ASAHI Yoichi; TANIGAWA Hiroshi; FURUTSUKA Takashi; SUZUKI Kenichiro

文献

J-GLOBAL ID：201802218346597021 整理番号：18A1334340

横方向に形成されたp-nダイオードアクチュエータにより駆動されたシリコンリング共振器における種々の振動モード

Various vibration modes in a silicon ring resonator driven by p-n diode actuators formed in the lateral direction

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資料名：
巻： 57 号： 6 ページ： 067201.1-067201.11 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本論文では,共振器上の横方向に形成されるp-nダイオードアクチュエータについて述べた。以前に報告されたp-nダイオードアクチュエータは,p-nダイオードに誘起された静電力に平行な力で駆動され,表面に垂直方向に作製されたので,板厚の中央にp-n接合セットを実現する必要条件を満たす作製プロセスは困難であった。本研究の共振器は,横方向に形成されたp-nダイオードにより駆動され,プロセスを容易にした。横方向に形成されたp-n-pとn-p-nダイオードアクチュエータを用いて,面内振動を持つシリコンリング共振器を作製した。最初に,p-nダイオードアクチュエータで誘起された力を十分に記述できる空間電荷モデルを考察し,それをほとんどの計算機シミュレーションで用いられる容量モデルと比較した。次に,4/3の修正係数を用いて,計算機シミュレーションによって計算した振動振幅を増やすことが,p-nダイオードアクチュエータにおいて振動振幅を提供することを示した。シリコンリング共振器で測定した面内振動の実験結果と理論の良い一致を得た。計算機シミュレーションは,p-nダイオードアクチュエータにより駆動される共振器における種々の振動モードの評価に非常に有用である。この研究で測定されたp-nダイオードアクチュエータの小振幅は,アクチュエータのドーピングの増加により大きく増加することが期待される。(翻訳著者抄録)

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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 発振回路

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