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J-GLOBAL ID：201102254656176921   整理番号：11A1123615

滑り電極をもつシリコンビームマイクロエレクトロメカニカルシステム共振器

Silicon Beam Microelectromechanical Systems Resonator with a Sliding Electrode

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著者 (4件)： OKA Tomohiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ISHINO Takuya (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TANIGAWA Hiroshi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Kenichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 6,Issue 2  ページ： 06GH02.1-06GH02.8  発行年： 2011年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 滑り駆動電極(DE)をもつシリコンビームマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)共振器を研究した。駆動電極と共振ビームとの間の狭いギャップは,共振器性能を大きく改善したが,プロセス限界により狭いギャップを作製することは困難であった。本研究において,共振器プロセスを完了した後,駆動電極をスライドすることにより,ギャップを減少させた(ポストプロセス狭ギャップ形成)。作製共振器に関する有効ギャップ長を,初期ギャップ3.44μmのものを,プルイン後,0.84μmに縮小した。プルイン後,作製共振器は,899.5kHz共振周波数で振動した(6600のQ因子)。共振ビーム変位振幅は,作製時の(プルイン前)共振器のそれと比較して,17.5倍増加した。電気的領域において,インピーダンスの大きさは,~58から3.85MΩへ大きく減少した。大きな位相遷移,50°,も測定された。これらの結果から,狭ギャップ効果による大きく改善した共振器特性を確認した。さらに,共振ビームに対する滑りDEの変位振幅比が,プルイン後の共振器に関して4.5×10^-5以下であった。これは,滑りDEの振動が,全体のビーム共振器振動に無視しうるほどの影響しか与えないことを意味した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *共振器 ,  *MEMS ,  ビーム ,  *ケイ素 ,  電極 ,  滑り ,  *間隙 ,  *共振周波数 ,  Q値 ,  変位 ,  インピーダンス
準シソーラス用語： シリコン ,  ギャップ ,  Q因子

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (27件)：

• 1) H. Tanigawa, S. Makita, and K. Suzuki: IEEJ Trans. Electr. Electron. Eng. 5 (2010) 164.
• 2) A. Uranga, J. Tera, J. Verd, J. L. Lopez, F. Torres, G. Abadal, N. Barniol, J. Esteve, and F. P. Murano: Proc. Int. Symp. Circuits and Systems, 2006, p. 2301.
• 3) C. S. Lam: Proc. IEEE Ultrasonics Symp., 2008, p. 694.
• 4) T. Ishino, S. Makita, H. Tanigawa, and K. Suzuki: Proc. 25th Sensor Symp., 2008, p. 551.
• 5) K. Wang, A.-C. Wong, and C. T.-C. Nguyen: J. Microelectromech. Syst. 9 (2000) 347.

タイトルに関連する用語 (2件)： 滑り ,  共振器