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J-GLOBAL ID：201102278053639311   整理番号：11A1123541

狭ギャッププロセスを利用した単結晶シリコンマイクロエレクトロメカニカルシステム共振器の評価

Evaluation of a Single-Crystal-Silicon Microelectromechanical Systems Resonator Utilizing a Narrow Gap Process

著者 (4件)： HASHIMOTO Keita (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ITO Kouzaburo (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  TANIGAWA Hiroshi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  SUZUKI Kenichiro (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 50  号： 6,Issue 1  ページ： 067201.1-067201.8  発行年： 2011年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波数マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)共振器を研究するために,狭ギャッププロセスを利用した,単結晶シリコンMEMS共振器に関する機械的挙動及び電気的特性を評価した。共振器に関するサイズ縮小は,出力信号における減少をもたらした。この問題を克服するために,電気機械結合係数における増大が必要であった。ビームと駆動電極との間のギャップの縮小の効果を調べるために,異なるギャップをもつ二つの型の100kHz MEMS共振器を作製し,比較した。狭いギャップ(1μm)をもつ共振器が,4μmギャップのそれより,大きな位相遷移だけでなく,大きな変位振幅を示すことを観測した。これは,ギャップ縮小が効果的であることを示唆した。次に,10MHz MEMS共振器を,集束イオンビーム(FIB)により狭ギャッププロセスを用いて作製した。作製素子に関する共振振動を,11.262MHzにおいて観測した。共振器をさらに改善するために,ビーム共振周波数近くの基板振動を抑制し,ギャップの滑らかな表面を作製するべきであることを示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *共振器 ,  *MEMS ,  *ケイ素 ,  単結晶 ,  結合係数 ,  *サイズ効果 ,  ビーム ,  電極 ,  間隙 ,  変位 ,  集束イオンビーム
準シソーラス用語： マイクロエレクトロメカニカルシステム ,  シリコン ,  電気機械結合係数 ,  ギャップ

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (22件)：

• 1) H. Tanigawa, S. Makita, and K. Suzuki: IEEJ Trans. Electr. Electron. Eng. 5 (2010) 164.
• 2) M. Okada, H. Nagasaki, A. Tamano, K. Niki, H. Tanigawa, and K. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 06FK03.
• 3) K. Wang, A.-C. Wong, and C. T.-C. Nguyen: J. Microelectromech. Syst. 9 (2000) 347.
• 4) W.-T. Hsu and C. T.-C. Nguyen: Tech. Dig. IEEE Int. MEMS Conf., 2002, p. 731.
• 5) B. Kim, R. N. Candler, M. Hoperoft, M. Agarwal, W.-T. Park, and T. W. Kenny: Tech. Dig. Transducers'05, 2005, p. 1965.

タイトルに関連する用語 (6件)： ギャップ ,  プロセス ,  単結晶シリコン ,  マイクロエレクトロメカニカルシステム ,  共振器 ,  評価