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J-GLOBAL ID：201802218752876040   整理番号：18A0623956

熱擾乱とその実証単一/二重界面垂直MTJを用いたMTJの評価正確な熱安定性の新しい方法【Powered by NICT】

Novel Method of Evaluating Accurate Thermal Stability for MTJs Using Thermal Disturbance and its Demonstration for Single-/Double-Interface p-MTJ

著者 (5件)： Saito Takashi (Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ito Kenchi (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Honjo Hiroaki (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Ikeda Shoji (Center for Innovative Integrated Electronic Systems, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Endoh Tetsuo (Graduate School of Engineering, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 54  号： 4  ページ： ROMBUNNO.3400505.1-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は迅速に正確な熱安定性因子Δ0を評価し,1つの標的磁気トンネル接合(MTJ)のための10分で,CMOSデバイスを含む磁気抵抗ランダムアクセスメモリチップせずに新しい方法を提案した。この方法は高温で平行状態と反平行状態間の熱障害だけでなく,材料特性の温度依存性に基づいている。この方法を用いて,24°Cでの単一および二重CoFeB/MgO界面を持つ70nmφp MTJのΔ0因子,それぞれ76.1と178.2であることを実証した。二重CoFeB/MgO界面を持つp MTJのΔ0の値は約2倍であっとして単一。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 磁気 ,  CMOS ,  温度依存性 ,  *界面 ,  酸化マグネシウム ,  高温 ,  *熱安定性 ,  材料特性 ,  磁気トンネル接合 ,  抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： ReRAM ,  *熱擾乱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱擾乱 ,  実証 ,  界面 ,  垂直 ,  MTJ ,  評価 ,  熱安定性