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J-GLOBAL ID：201802220457057561   整理番号：18A0137906

CMOS-MEMSデバイスの安全放出のためのCMOSヒューズ【Powered by NICT】

A CMOS fuse for safe release of CMOS-MEMS devices

著者 (2件)： Qu Peng (Department of Electrical and Computer Engineering, Oakland University, Rochester, Michigan 48309, USA) ,  Qu Hongwei (Department of Electrical and Computer Engineering, Oakland University, Rochester, Michigan 48309, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICSENS  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマエッチングに基づくドライプロセスを用いて作製したMEMSデバイスのための安全な放出機構を報告した。固有のCMOS薄膜を構造材料として使用されている提案したスマートヒューズは特にCMOS-MEMSデバイス用に設計した。CMOS層の間にサンドイッチされた適切に設計したポリシリコン加熱器はヒューズの重要な要素である。雰囲気中で加熱器を通る電流を印加すると,温度上昇はCMOS金属層を溶解し,酸化物層中の材料欠陥をもたらすであろう。装置の故障は,低減衰に起因して発生する欠陥の開発は,環境におけるMEMS構造の融合と放出の最終的な破壊をもたらす,高真空処理室におけるMEMSの突然の放出を回避した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化層 ,  *安全性 ,  薄膜 ,  ポリシリコン ,  昇温 ,  電流 ,  加熱器 ,  *ヒューズ ,  *MEMS ,  乾式法 ,  プラズマエッチング ,  *CMOS ,  構造材料
準シソーラス用語： サンドイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  MEMSデバイス ,  放出 ,  ヒューズ