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J-GLOBAL ID：201802220463330548   整理番号：18A1207068

パルス変調高密度プラズマを用いたCoFeB薄膜のナノメートルスケールエッチング【JST・京大機械翻訳】

Nanometer-scale etching of CoFeB thin films using pulse-modulated high density plasma

著者 (4件)： Cho Doo Hyeon (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Center for Design and Applications of Molecular Catalysts, Inha University, 100 Inharo, Nam-gu, Incheon 22212, South Korea) ,  Lee Jae Yong (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Center for Design and Applications of Molecular Catalysts, Inha University, 100 Inharo, Nam-gu, Incheon 22212, South Korea) ,  Choi Jae Sang (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Center for Design and Applications of Molecular Catalysts, Inha University, 100 Inharo, Nam-gu, Incheon 22212, South Korea) ,  Chung Chee Won (Department of Chemistry and Chemical Engineering, Center for Design and Applications of Molecular Catalysts, Inha University, 100 Inharo, Nam-gu, Incheon 22212, South Korea)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 18  号： 9  ページ： 968-974  発行年： 2018年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメートルスケールのパターン化CoFeB薄膜のパルス変調誘導結合プラズマ反応性イオンエッチングをCH_4/O_2/Arガス混合物中で行った。パルスオン-オフデューティ比が減少すると,CoFeB/TiNのエッチ選択性はわずかに増加し,エッチプロファイルは改善された。さらに,CoFeB膜のエッチ選択性とエッチプロファイルはプラズマのパルス周波数の増加により改善された。X線光電子分光法により,CH_4/O_2/Arガス混合物中のパルス変調エッチング中に,いくつかの高分子層がCoFeB膜上に形成され,これが横方向エッチングを防止し,エッチ選択性を増加させることを明らかにした。その結果,TiNハードマスクでパターン化したCoFeB薄膜のナノメートルスケールエッチングを,CH_4/O_2/Arガス混合物中のパルス変調プラズマを用いて達成できた。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *プラズマ ,  *パルス変調 ,  誘導結合プラズマ ,  パターン形成 ,  RIE【エッチング】 ,  *エッチング ,  *薄膜 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： ハードマスク ,  パルス周波数 ,  窒化チタン ,  デューティサイクル ,  アルゴンガス ,  高密度プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CoFeB ,  パルス変調高密度プラズマ ,  ナノメートルスケールエッチング ,  CH_4/O_2/Ar

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： パルス変調 ,  高密度プラズマ ,  薄膜